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IRF7606TR

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IRF7606TR
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IRF7606TR参数：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7606TRSaberModel IRF7606TRSpiceModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：520pF@25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
供应商器件封装：Micro8?

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