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IRF7807VD2TR

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SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
IRF7807VD2TR
Infineon Techn..
8-SO
2023+
500
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SOP-8
2023+
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IRF7807VD2TRPBF
InternationalR..
8-SOIC(0.154..
2023+
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8-SOIC（3.9mm）
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6000
品质保证,价格优惠
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IOR
SOP-8
2023+
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IRF7807VD2TRPBF
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全新原装现货
2023+
4500
相关型号： IRF7807VD2PBF IRF7807VD2 IRF7807VD1TRPBF IRF7807VD1TR IRF7807VD1PBF IRF7807VD1

IRF7807VD2TR
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IRF7807VD2TR参数：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7807VD2SaberModel IRF7807VD2SpiceModel
标准包装：4,000
系列：FETKY™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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