IRF7853PBF参数：MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@8.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1640pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO配用：IRAC1166-100W-ND-BOARDDEMO100WFORIR1166
