IRF7902TRPBF参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.4A，9.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22.6毫欧@6.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：580pF@15V功率-最大值：1.4W，2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO