IRF820L

暂无IRF820LPDF资料下载

IRF820L参数：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IRFTO-262SeriesSide1 IRFTO-262SeriesSide2
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@25V
功率-最大值：3.1W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK