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IRF830ASTRL

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IRF830ASTRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
5950
全新原厂原装现货
IRF830ASTRL
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
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IRF830ASTRLPBF
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
3475
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Vishay/Silicon..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
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相关型号： IRF830ASPBF IRF830AS IRF830APBF IRF830ALPBF IRF830AL IRF830A

IRF830ASTRL
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IRF830ASTRL参数：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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