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IRF9Z24NPBF

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相关型号： IRF9Z24NLPBF IRF9Z24NL IRF9Z24 IRF9Z20PBF IRF9Z20 IRF9Z14STRR

IRF9Z24NPBF
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IRF9Z24NPBF参数：MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF9Z24NPBFSaberModel IRF9Z24NPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：175毫欧@7.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@25V
功率-最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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