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IRFB16N60

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相关型号： IRFB16N50KPBF IRFB16N50K IRFB13N50APBF IRFB13N50A IRFB11N50APBF IRFB11N50A

IRFB16N60LPBF
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IRFB16N60LPBF参数：MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：460毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2720pF@25V
功率-最大值：310W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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