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IRFB17N60K

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IRFB17N60K 优势库存
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TO-220
2023+
3200
原装现货质量保证
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IRFB17N60KPBF 优势库存
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TO-220
2023+
5550
原装现货质量保证
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IRFB17N60KPBF
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
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IRFB17N60K
Vishay Silicon..
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2023+
500
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IRFB17N60K
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TO-220
2023+
2596
原装现货价格优势
IRFB17N60KPBF
Vishay/Silicon..
TO-220-3
2023+
1250
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Vishay/Silicon..
TO-220-3
2023+
1250
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IRFB17N60K
Vishay/Silicon..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRFB17N60KPBF
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TO-220
2023+
4757
工厂配单，价格优势
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IRFB17N60K
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TO-220
2023+
30224
全新原装现货，价格优惠
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TO-220
2023+
30225
全新原装现货，价格优惠
IRFB17N60KPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRFB17N50LPBF IRFB17N50L IRFB17N20D IRFB16N60LPBF IRFB16N50KPBF IRFB16N50K

IRFB17N60K
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IRFB17N60K参数：MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：420 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：99nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：340W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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