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IRFB3507

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IRFB3507 优势库存
IR
TO-220
2023+
23350
原装现货质量保证
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IRFB3507
Infineon Techn..
TO-220AB
2023+
500
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IRFB3507PBF
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2023+
11278
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IRFB3507
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TO-220
2023+
13778
全新进口原装现货,保证质量
IRFB3507PBF
InternationalR..
TO-220-3
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1250
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IRFB3507
InternationalR..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRFB3507
InternationalR..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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2023+
1328
全新进口原装现货,保证质量
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IRFB3507PBF
INFINEON/IR
TO-220AB
2023+
100
全新原装，香港现货
IRFB3507PBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRFB33N15DPBF IRFB33N15D IRFB3307ZPBF IRFB3307ZGPBF IRFB3307PBF IRFB3307

IRFB3507
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IRFB3507参数：MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFB3507SaberModel IRFB3507SpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：97A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.8毫欧@58A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3540pF@50V
功率-最大值：190W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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