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IRFB4127

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相关型号： IRFB4115PBF IRFB4115GPBF IRFB4110PBF IRFB4110GPBF IRFB4020PBF IRFB4019PBF

IRFB4127PBF
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IRFB4127PBF参数：MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：76A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@44A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：150nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5380pF@50V
功率-最大值：375W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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