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IRFB59N10D

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IRFB59N10DPBF
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IRFB59N10DPBF参数：MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFB59N10DPBFSaberModel IRFB59N10DPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：59A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@35.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：114nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2450pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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