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IRFB9N65

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IRFB9N65A 优势库存
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TO-220
2023+
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220
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1250
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深圳现货，专业配套
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IRFB9N65A
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相关型号： IRFB9N60APBF IRFB9N60A IRFB9N30APBF IRFB9N30A IRFB812PBF IRFB7446PBF

IRFB9N65A
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IRFB9N65A参数：MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：930 毫欧 @ 5.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1417pF @ 25V
功率 - 最大值：167W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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