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IRFBA22N50

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IRFBA22N50APBF
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IRFBA22N50APBF参数：MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IRFBA22N50APBFSide
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@13.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：115nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3400pF@25V
功率-最大值：340W
安装类型：通孔
封装：Super-220?
供应商器件封装：SUPER-220?（TO-273AA）

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