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IRFBC30AS

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IR
TO-263(D2PAK)
2023+
5950
全新原厂原装现货
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IRFBC30ASTRLPBF
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
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SOT-263
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TO-263
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8000
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D2-PAK
2023+
24260
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SOT-263
2023+
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工厂配单，价格优势
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D2-pak
2023+
11278
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VISHAY
D2-PAK (TO-2..
2023+
3,200
全新原装，香港现货
IRFBC30AS
INTERNATIONAL ..
原厂原包装
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进口原装 库房现货
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进口原装 库房现货
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进口原装 库房现货
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IR/FSC
库房现货原装进口
2023+
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TO-263
2023+
14999
原装现货，假一赔十
相关型号： IRFBC30APBF IRFBC30ALPBF IRFBC30AL IRFBC30A IRFBC30 IRFBC20STRR

IRFBC30AS
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IRFBC30AS参数：MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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