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IRFBC40AS

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IRFBC40ASTRLPBF 优势库存

优势库存

IR

TO-263(D2PAK)

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2

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389

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18000

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IRFBC40ASPBF

SILICONIX

原厂标准封装

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713

原装进口优势现货价格最..

IRFBC40ASPBF

NO MFR

原厂原包装

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20990

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VISHAY/IR

原厂原包装

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20989

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原装现货

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4500

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IR/FSC

库房现货原装进口

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相关型号： IRFBC40APBF IRFBC40AL IRFBC40A IRFBC40 IRFBC30STRR IRFBC30STRLPBF

IRFBC40AS
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IRFBC40AS参数：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1036pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK