IRFBG30

IRFBG30
PDF资料下载

IRFBG30参数：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：980pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB