IRFD110参数：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 600mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 25V功率 - 最大值：1.3W安装类型：通孔封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP