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IRFD9014PBF

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IRFD9014PBF
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IRFD9014PBF参数：MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)DSeriesSide1 IR(F,L)DSeriesSide2
标准包装：2,500
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：500毫欧@660mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@25V
功率-最大值：1.3W
安装类型：通孔
封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

IRFD9014PBF

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