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IRFH3702TR

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IR
PQFN-8
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晶体管
相关型号： IRFDC20PBF IRFDC20 IRFD9220PBF IRFD9220 IRFD9210PBF IRFD9210

IRFH3702TR2PBF
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IRFH3702TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFH3702TR2PBFSaberModel IRFH3702TR2PBFSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.1毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1510pF@15V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-PQFN（3x3）

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