IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF
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IRFH4251DTRPBF参数：MOSF N CH DL 25V 64A 188A PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：*
FET 类型：2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：64A， 188A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1314pF @ 13V
功率 - 最大值：31W， 63W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*