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IRFH5053TR

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IRFH5053TRPBF 优势库存

QFN84K

2023+

8350

全新原厂原装现货

IRFH5053TR2PBF

Infineon Techn..

PQFN（5x6）单芯片..

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

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2023+

16500

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InternationalR..

8-PQFN，8-Pow..

2023+

23350

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深圳市科锦电子有限公司

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2023+

980

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IRFH5053TR2

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2023+

6000

品质保证,价格优惠

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2023+

6000

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IRFH5053TRPBF

10000

原装正品，价格优势！

2023+

￥15+

IRFH5053TRPBF

PQFN-8

2023+

26000

晶体管

相关型号： IRFH5025TRPBF IRFH5025TR2PBF IRFH5020TRPBF IRFH5020TR2PBF IRFH5015TRPBF IRFH5015TR2PBF

IRFH5053TR2PBF
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IRFH5053TR2PBF参数：MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@9.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1510pF@50V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

IRFH5053TR

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