IRFH5302DTR

IRFH5302DTR2PBF
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IRFH5302DTR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：29A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3635pF @ 25V
功率 - 最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-VQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘