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IRFH5306TR

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相关型号： IRFH5304TRPBF IRFH5304TR2PBF IRFH5303TRPBF IRFH5303TR2PBF IRFH5302TRPBF IRFH5302TR2PBF

IRFH5306TR2PBF
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IRFH5306TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.1 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1125pF @ 15V
功率 - 最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

IRFH5306TR

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