IRFH7914PBF

IRFH7914TR2PBF
PDF资料下载

IRFH7914TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFH7914TR2PBFSaberModel IRFH7914TR2PBFSpiceModel
标准包装：400
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.7毫欧@14A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1160pF@15V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）