IRFH7936TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFH7936TR2PBFSaberModel IRFH7936TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.8毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2360pF@15V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）
IRQFN2023+43352全新进口原装现货，即时发货
