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IRFH8337TR

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IRFH8337TR2PBF
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IRFH8337TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFH8337TR2PBFSaberModel IRFH8337TR2PBFSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.8毫欧@16.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：790pF@10V
功率-最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）

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