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IRFI530NPBF

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IRFI530NPBF
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IRFI530NPBF参数：MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFI530NSaberModel IRFI530NSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@6.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@25V
功率-最大值：41W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220AB整包

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