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IRFI620G

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IRFI620G 优势库存
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TO-220
2023+
4402
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TO-220F
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IRFI620G
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IRFI620G参数：MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 25V
功率 - 最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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