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IRFI830

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IRFI830G 优势库存
IR
TO220F
2023+
427
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IRFI830G 优势库存
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TO220
2023+
382
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IRFI830 优势库存
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TO-220F
2023+
4531
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IRFI830GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
1480
全新原装进口现货品质保证
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IRFI830G
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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IRFI830
IR
220
2023+
2778
全新进口原装现货,保证质量
IRFI830G
IR/A
TO-220F
2023+
2158
全新进口原装现货,保证质量
IRFI830GPBF
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
4772
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IRFI830G
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
1250
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IRFI830
IR
220
2023+
1500
品质保证,价格优惠
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IRFI830G
IR
TO-220FULLPA..
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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IRFI830GPBF
VISHAY
TO-220FP
2023+
1,800
全新原装，香港现货
IRFI830G110
INTERNATIONAL ..
原厂原包装
2023+
27027
全新原装现货，价格优惠
IRFI830G
IR
TO-220F
2023+
30327
全新原装现货，价格优惠
IRFI830
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库房现货原装进口
2023+
5600
IRFI830GPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFI830GPBF
IR
TO-220
2023+
17500
低价格.高品质.服务好.现..
IRFI830G
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TO-220
2023+
13500
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IRFI820GPBF IRFI820G IRFI744GPBF IRFI744G IRFI740GPBF IRFI740GLCPBF

IRFI830G
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IRFI830G参数：MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：610pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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