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IRFIB5N65

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IRFIB5N65APBF
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220
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IRFIB5N65A-38
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IRFIB5N65A-38
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相关型号： IRFIB5N50LPBF IRFIB41N15DPBF IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34G IRFI9Z24GPBF IRFI9Z24G

IRFIB5N65A
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IRFIB5N65A参数：MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：930 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1417pF @ 25V
功率 - 最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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