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IRFIB8N50K

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相关型号： IRFIB7N50LPBF IRFIB7N50APBF IRFIB7N50A IRFIB6N60APBF IRFIB6N60A IRFIB5N65APBF

IRFIB8N50K
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IRFIB8N50K参数：MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：89nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2160pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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