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IRFL014NTR

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IRFL014NTRPBF
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IRFL014NTRPBF参数：MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：2,500
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@1.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：190pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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