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IRFL024N

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相关型号： IRFL014TRPBF IRFL014TR IRFL014PBF IRFL014NTRPBF IRFL014NPBF IRFL014

IRFL024N
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IRFL024N参数：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：80
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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