IRFL4105参数：MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFL4105TRSaberModel IRFL4105TRSpiceModel标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@3.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
