IRFM220BTF_FP001参数：MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.13A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：800毫欧@570mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：390pF@25V功率-最大值：2.4W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-3