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IRFR3518

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IRFR3518TRPBF 优势库存
IR
TO-252(DPAK)
2023+
9600
全新原厂原装现货
IRFR3518TRPBF
Infineon Techn..
D-Pak
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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TO-252
2023+
14557
全新进口原装现货,特价热卖
IRFR3518PBF
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TO-252-3,DPa..
2023+
1250
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IRFR3518TR
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DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRFR3518
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TO-252
2023+
11400
品质保证,价格优惠
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D-pak
2023+
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全新进口原装现货,保证质量
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D-pak
2023+
11278
工厂配单，价格优势
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IRFR3518TRL
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TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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电话：18922857317
联系人：销售部
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IRFR3518TRR
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TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
电话：18922857317
联系人：销售部
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IRFR3518TRPBF
IR
DPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRFR3518PBF
IR
DPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRFR3518PBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFR3518TRPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFR3518TRPBF
IR
D-pak
2023+
14999
原装现货，假一赔十
相关型号： IRFR3505TRPBF IRFR3505PBF IRFR3504ZTRRPBF IRFR3504ZTRR IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRLPBF

IRFR3518PBF
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IRFR3518PBF参数：MOSFET N-CH 80V 38A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFR3518PBFSaberModel IRFR3518PBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：38A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：56nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1710pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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