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IRFR3710ZTRPBF

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相关型号： IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRL IRFR3710ZTR IRFR3710ZPBF IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF
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IRFR3710ZTRPBF参数：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：2,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：42A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@33A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2930pF@25V
功率-最大值：140W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

IRFR3710ZTRPBF

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