IRFR3711ZTR参数：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFR3711ZSaberModel IRFR3711ZSpiceModel标准包装：2,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：93A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.7毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.45V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2160pF@10V功率-最大值：79W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak