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IRFR9N20DTRPBF

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IRFR9N20DTRPBF
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IRFR9N20DTRPBF参数：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：2,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：380毫欧@5.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：560pF@25V
功率-最大值：86W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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