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IRFS4227TRLPBF

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IRFS4227TRLPBF 优势库存

TO-263(D2PAK)

2023+

8350

全新原厂原装现货

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
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Infineon Techn..

D2PAK

2023+

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全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

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InternationalR..

TO-263-3,Dsu..

2023+

4950

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

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D-PAK-3

2023+

26000

晶体管

相关型号： IRFS4227PBF IRFS41N15DTRR IRFS41N15DTRLP IRFS41N15DPBF IRFS4127TRLPBF IRFS4127PBF

IRFS4227TRLPBF
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IRFS4227TRLPBF参数：MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFS4227PBFSaberModel IRFS4227PBFSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：62A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@46A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：98nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4600pF@25V
功率-最大值：330W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

IRFS4227TRLPBF

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