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IRFSL31N20

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相关型号： IRFSL3107PBF IRFSL3006PBF IRFSL3004PBF IRFSL23N20D102P IRFSL23N20D IRFSL23N15DPBF

IRFSL31N20D
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IRFSL31N20D参数：MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFB31N20DPBFSaberModel IRFB31N20DPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：31A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：82毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2370pF@25V
功率-最大值：3.1W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262

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