IRFTS8342TRPBF参数：MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)特色产品： TSOP-6HEXFET?MOSFETs标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@8.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：560pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：6-TSOP