IRFU9120N

IRFU9120N
PDF资料下载

IRFU9120N参数：MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak