IRG4BC30KD(HSMRKD)

IRG4BC30KDPBF
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IRG4BC30KDPBF参数：IGBT W/DIODE 600V 28A TO220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRG4BC30KDPBFSaberModel IRG4BC30KDPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，16A
电流-集电极(Ic)（最大值）：28A
Current-CollectorPulsed(Icm)：56A
功率-最大值：100W
SwitchingEnergy：1.18mJ
输入类型：标准
GateCharge：67nC
Td(on/off)A25°C：60ns/160ns
TestCondition：480V,16A,23欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：42ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB