IRGIB10B60KDI

IRGIB10B60KD1P
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IRGIB10B60KD1P参数：IGBT W/DIODE 600V 16A TO220FP

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.1V@15V，10A
电流-集电极(Ic)（最大值）：16A
Current-CollectorPulsed(Icm)：32A
功率-最大值：44W
SwitchingEnergy：321µJ
输入类型：标准
GateCharge：41nC
Td(on/off)A25°C：25ns/180ns
TestCondition：400V,10A,50欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：79ns
封装：TO-220-3整包
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB整包