IRGP30B120KD-EP参数：IGBT W/DIODE 1200V 60A TO247AD
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRGP30B120KD-EPSaberModel IRGP30B120KD-EPSpiceModel标准包装：4,000系列：-包装：散装IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：4V@15V，60A电流-集电极(Ic)（最大值）：60ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：120A功率-最大值：300WSwitchingEnergy：2559µJ输入类型：标准GateCharge：169nCTd(on/off)A25°C：50ns/210nsTestCondition：600V,25A,5欧姆,15V反向恢复时间(trr)：300ns封装：TO-247-3（TO-247AD）安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247AD