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IRGSL4B60K

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IRGSL4B60KD1PBF
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IRGSL4B60KD1PBF参数：IGBT W/DIODE 600V 11A TO262

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRGB4B60KD1PBFSaberModel IRGB4B60KD1PBFSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.5V@15V，4A
电流-集电极(Ic)（最大值）：11A
Current-CollectorPulsed(Icm)：22A
功率-最大值：63W
SwitchingEnergy：120µJ
输入类型：标准
GateCharge：12nC
Td(on/off)A25°C：22ns/100ns
TestCondition：400V,4A,100欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：93ns
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-262

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