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IRL2203

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TO-220
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TO263
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TO263
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IRL2203NSPBF
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D2PAK
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D2PAK
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IRL2203STRL
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
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IRL2203STRR
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D2PAK（TO-263）
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IRL2203NS
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IRL2203N
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全新进口原装现货,特价热卖
IRL2203NSTRLPBF
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TO-263-3,Dsu..
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IRL2203NLPBF
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TO-262-3（）
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Vishay/Silicon..
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IRL2203STRR
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IRL2203NS
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Dsup2Pak，TO-..
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TO-220-3()
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IRL2203
2023+
100
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Dsup2Pak，TO-..
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6000
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IRL2203L
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IRL2203NSPBF
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深圳现货，专业配套
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2023+
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IRL2203NSTRRPBF
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D2PAK
2023+
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深圳现货，专业配套
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IRL2203PBF
IR
TO-220AB
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20278
工厂配单，价格优势
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INFINEON/IR
D2-PAK (TO-2..
2023+
9,600
全新原装，香港现货
IRL2203NPBF
INFINEON/IR
TO-220AB
2023+
1,050
全新原装，香港现货
1[2]下页50条/页 共2页
相关型号： IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRL IRL1404ZSPBF IRL1404ZS IRL1404ZPBF IRL1404ZLPBF

IRL2203N
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IRL2203N参数：MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRL2203NSaberModel IRL2203NSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：116A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@60A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3290pF@25V
功率-最大值：180W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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