IRL2203N参数：MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRL2203NSaberModel IRL2203NSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：116A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@60A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3290pF@25V功率-最大值：180W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
